意法半導體，成功制造出8寸碳化硅晶圓

           自從芯片被發明出來后，短短幾十年就成為了全球科技產業的基礎，小小的一顆芯片，牽動著全球的神經，特別是在近兩年，表現更為突出。

而芯片發展到現在，也經歷了所謂的三代，其中硅基芯片是第一代半導體，而GaAs、InP等認為是第二代半導體材料，而將Sic、GaN等認為是第三代半導體材料。

而隨著電動汽車、5G等技術的到來，大家認為第三代半導體材料為基礎的芯片產業，應該能夠得到大大的發展，所以全球都在研究第三代半導體材料，比如SiC、GaN等。

目前GaN的應用比較多了，特別是在充電技術領域，比如電動車、甚至手機快速充電器領域，都應用了GaN技術。

而昨天，“意法半導體中國”官方微信宣布，意法半導體（簡稱“ST”）瑞典北雪平工廠成功制造出了，全球第一批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。

SiC材料不像硅，制造是比較難的，一方面是因為它太硬了，碳化硅單晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，僅僅比金剛石的硬度低0.5左右。另外一方面比較脆，所以制造成大的晶圓是比較困難的，加工門檻非常高。

但SiC半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，主要應用于高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域。

目前在SiC晶圓這一塊，排在第一位的Cree差不多占了60%的市場，其次是美國II-VI公司，市場份額約為16%，現在ST能夠制造出8寸的SiC晶圓時，代表著其在第三代半導體技術上，也達到了全球領先的地步，或將改變全球SiC的產業格局。

但從另外一方面來看，那就是我們真的要加油了，第一代半導體我們是比較落后了，第二代半導體也沒能領先，現在第三代可不能再落后了。