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行業新聞

用于3D攝像頭的VCSEL技術

    傳統的光電轉換技術一般采用 LED 等發光器件。這種發光器件多采用邊緣發射，體積大，因此比較難以和半導體技術結合。 20 世紀 90 年代垂直腔表面發射激光 VCSEL 技術成熟后，解決了發光器件和半導體技術結合的問題，因此迅速得到普及。

    晶圓光學鏡片中間的兩面發射垂直腔面發射體激光器（VCSEL）
 
    近年來，智能手機領域相關技術更新迭代十分迅速，由于人們的日常需求逐漸提高，手機的拍照，感應，識別等功能尤其受到關注，故手機攝像頭用量提升的趨勢仍處于加速態勢，特別是3D攝像頭等新創新的使用也將為手機攝像頭領域提供增益，尤其以VCSEL激光器為核心關鍵元器件的3D Sensing攝像頭在手機上的應用，帶動相關市場迎來一輪爆發。
 
    3D Sensing攝像頭
 
    3D Sensing攝像頭相比于傳統攝像頭除了能夠獲取平面圖像以外，還可以獲得拍攝對象的深度信息，即三維的位置及尺寸信息，其通常由多個攝像頭+深度傳感器組成。3D 攝像頭實現實時三維信息采集，為消費電子終端加上了物體感知功能，從而引入多個“痛點型應用場景”，包括人機交互、人臉識別、三維建模、安防和輔助駕駛等多個領域，3D Sensing攝像頭讓交互方式從平面變成了立體。而3D Sensing攝像頭產業鏈與傳統攝像頭產業鏈相比主要新增加紅外光源+光學組件+紅外傳感器等部分，其中最關鍵的部分就是紅外光源。
    因特爾公司研發的RealSense 3D攝像頭架構
 
    目前，可以提供800-1000nm波段的近紅外光源主要有三種：紅外LED、紅外LD-EEL（邊發射激光二極管）和VCSEL（垂直腔面發射激光器）。早期3D傳感系統一般都使用LED作為紅外光源，但是隨著VCSEL技術的成熟，性價比已經接近紅外LED，除此之外，在技術方面，由于LED不具有諧振腔，導致光束更加發散，在耦合性方面很差，而VCSEL在精確度、小型化、低功耗、可靠性全方面占優的情況下，現在常見的3D攝像頭系統一般都采用VCSEL作為紅外光源。而與傳統邊發射激光器相比，VCSEL 在光束質量、與光纖耦合效率、腔面反射率上都具有較大優勢，且因為VCSEL發射光線垂直于襯底而邊發射激光器發射光線平行于襯底，因此 VCSEL 能夠實現二維陣列而邊發射激光器不行。
 
    VCSEL技術
 
    垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型雷射）是一種半導體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開的獨立芯片制成，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。
 
    VCSEL是很有發展前景的新型光電器件，也是光通信中革命性的光發射器件。顧名思義，邊發射激光器是沿平行于襯底表面、垂直于解理面的方向出射，而面發射激光器其出光方向垂直于襯底表面，如下圖：
    邊發射激光器（a）與面發射激光器(b)示意圖
 
    它優于邊發射激光器的表現在于：易于實現二維平面和光電集成；圓形光束易于實現與光纖的有效耦合；可以實現高速調制，能夠應用于長距離、高速率的光纖通信系統；有源區尺寸極小，可實現高封裝密度和低閾值電流；芯片生長后無須解理，封裝后即可進行在片實驗；在很寬的溫度和電流范圍內都以單縱模工作；價格低。
 
    VCSEL的優異性能已引起廣泛關注，成為國際上研究的熱點。這十多年來，VCSEL在結構、材料、波長和應用領域都得到飛速發展，部分產品已進入市場。
 
    VCSEL 基本結構
 
    VCSEL 的結構示意圖如下圖所示。它是在由高、低折射率介質材料交替生長成的分布布喇格反射器（DBR）之間連續生長單個或多個量子阱有源區所構成。典型的量子阱數目為 3~5 個，它們被置于駐波場的最大處附近，以便獲得最大的受激輻射效率而進入振蕩場。在底部還鍍有金屬層以加強下面 DBR 的光反饋作用，激光束從頂部透明窗口輸出。
    實際上，要完成低閾值電流工作，和一般的條型半導體激光器一樣，必須使用很強的電流收斂結構，同時進行光約束和截流子約束。由上圖可見， VCSEL 的半導體多層模反射鏡 DBR 是由 GaAs/AlAs 構成的，經蝕刻使之成為 air-post（臺面）結構。在高溫水蒸汽中將 AlAs 層氧化，變為有絕緣性的 AlxOy 層，其折射率也大大降低，因而成為把光、載流子限制在垂直方向的結構。對 VCSEL 的設計集中在高反射率、低損耗的 DBR 和有源區在腔內的位置。
 
    VCSEL激光器的特點
 
    由于VCSEL與邊發射激光器有著不同的結構，這就決定了兩者之間有不同的特點和性能，下表中列出了兩種激光器的基本參數。 
    從表中我們可以看出，VCSEL有源區的體積小、腔短，這就決定了它容易實現單縱模、低閾值(亞毫安級)電流工作，但是為了得到足夠高的增益，其腔鏡的反射率必須達到99%。VCSEL具有較高的弛豫振蕩頻率，從而在高速數據傳輸以及光通信中，預計將有著廣泛的應用。VCSEL出光方向與襯底表面垂直，可以實現很好的橫向光場限制，進行整片測試，得到圓形光束，易與制作二維陣列，外延晶片可以在整個工藝完成前，節約了生產成本。 
 
    VCSEL的優點主要有: 
 
    l.出射光束為圓形，發散角小，很容易與光纖及其他光學元件耦合且效率高。 
 
    2.可以實現高速調制，能夠應用于長距離、高速率的光纖通信系統。 
 
    3.有源區體積小，容易實現單縱模、低閾值的工作。 
 
    4.電光轉換效率可大于50%，可期待得到較長的器件壽命。 
 
    5.容易實現二維陣列，應用于平行光學邏輯處理系統，實現高速、大容量數據處理，并可應用于高功率器件。 
 
    6.器件在封裝前就可以對芯片進行檢測，進行產品篩選，極大降低了產品的成本。 
 
    7.可以應用到層疊式光集成電路上，可采用微機械等技術。 
 
    VCSEL的發展史
 
    VCSEL的歷史，也是在諸多學者機構的努力下，其性能不斷優化的歷史，在這幾十年的歷史中，IGA及其帶領的團隊起到了不可磨滅的作用，可以堪稱IGA教授為VCSEL之父。
 
    隨著VCSEL的諸多優點，其應用也越來越廣泛。并且為了適合這些應用，VCSEL也朝著多個方向在各自發展，如圖所示，為其主要應用：
    不同波長VCSEL應用領域
 
    由于目前VCSEL最主要應用在光傳輸方面，基于1979年Soda等人的VCSEL為開端，VCSEL的發展，主要經歷了2個階段：
 
    第一階段：從VCSEL誕生到20世紀末，蠻荒發展階段。
 
    在這個階段，各個組織機構都提出以及嘗試了各種不同結構類型的VCSEL，最終氧化物限制型VCSEL由于其諸多優點而勝出。
 
    1994年，Huffaker等人率先采用在臺面結構（Mesa）下本征氧化AlGaAs，生成掩埋高阻層Al氧化物的方式，來對電流進行進一步的限制。利用這種結構，閾值電流可以降低到225uA。而這種結構就是目前普遍采用的氧化物限制型（Oxide-confined）結構的原型；
    首個氧化物限制型VCSEL
 
    2013年，Iga對VCSEL的關鍵指標如閾值電流、調制帶寬與有源區的關系給出了簡單的關系公式。
 
    VCSEL的閾值電流同其他半導體激光器一樣，與有源區體積有如下關系式：
    由公式可以看出，為了降低閾值電流，就需要不斷減小有源區體積。比較當前的VCSEL與條狀激光器的有源區體積，可以發現，VCSEL的V=0.06um3， 條狀激光器依然在V=60um3， 這就是為什么條狀激光器的閾值電流典型值仍舊在幾十mA的級別，而VCSEL的閾值電流已經達到了亞毫安級別。
 
    第二階段：逐漸發展成熟階段及優化階段。
 
    由于氧化物限制型的VCSEL具有低閾值電流等很多優點，這種結構的VCSEL被很快運用到了光通信中。
 
    由于高的工作電流可以帶來更好的調制特性，但同時也會相應的增加功耗，進而帶來溫度的上升，會對可靠性帶來影響。調制速率與功耗成了VCSEL在光傳輸領域中重要的挑戰。2007年，Y-C.Chang等人采取增加深氧化層層數到5層以及增加p型摻雜濃度來降低串聯阻抗的方式，在0.9mA電流下實現的15GHz調制帶寬，相應的功耗只有1.2mW，帶寬/功耗比只有12.5GHz/mW,是當時最先進水平。VCSEL截面結構如圖所示：
    深氧化層氧化物限制型VCSEL
 
    利用相同的VCSEL結構，同年，Y-C.Chang等人又實現了35Gbps的無誤碼傳輸。
 
    2011年，Petter Westbergh等人研究了850nm氧化物限制型VCSEL光子壽命與諧振頻率及調制速率的關系，并指出在高諧振頻率以及低阻尼震蕩中取得一個折衷來提高速率：當光子壽命接近3ps時，可以使VCSEL的調制帶寬達到23GHz，同時可以得到40Gb/s的無誤碼傳輸。
 
    近年來，各個興趣小組對于高速率、低功耗的VCSEL研究依然興趣不減，圖10是截止到2015年，各機構的研究成果?？梢钥闯?，如果采用預加重的方式，目前VCSEL背靠背傳輸可以達到71Gbit/s。
    短波長VCSEL光互聯領域發展近況
 
    VCSEL在手機AR功能與投影領域的應用
 
    AR即增強現實技術，它是一種將真實世界信息和虛擬世界信息“無縫”集成的新技術，是把原本在現實世界的一定時間空間范圍內很難體驗到的實體信息(視覺信息,聲音,味道,觸覺等),通過電腦等科學技術，模擬仿真后再疊加，將虛擬的信息應用到真實世界，被人類感官所感知，從而達到超越現實的感官體驗。而AR最核心技術在于光學，尤其是激光技術，無論是手勢識別、三維重構還是成像，光學技術都是決定性基礎。除了3D攝像模塊，最關鍵的就是光學成像模塊。例如微軟公司的HoloLens 配備兩塊光導透明全息透鏡，虛擬內容采用 LCoS（硅基液晶）投影技術，從前方微型投影儀投射至光導透鏡后進入人眼。
    Hololens AR眼鏡的LCoS微型投影儀
 
    LCOS（液晶覆硅技術）是小型化 AR 頭顯的關鍵技術之一。三片式的 LCOS 成像系統，首先將投影光源發出的白色光線，通過分光系統系統分成紅綠藍三原色的光線，然后，每一個原色光線照射到一塊反射式的LCOS芯片上，系統通過控制 LCOS 面板上液晶分子的狀態來改變該塊芯片每個像素點反射光線的強弱，最后經過LCOS反射的光線通過必要的光學折射匯聚成一束光線，經過投影機鏡頭照射到屏幕上，形成彩色的圖像。目前在投影光源上主要有LED和激光兩種方案，由于激光在光束質量、亮度、功耗和使用壽命上無可比擬的優越性，將是未來的發展方向。
 
    以色列Lumus的AR眼鏡也采用了微型投影技術，成像關鍵部件由微型投影儀、光導元件（LOE）和反射波導組成。植入眼鏡的微型投影儀（例如激光投影）將圖像畫面進行投放，通過光導元件、反射波導形成全反射。
    Lumus AR眼鏡也采用了微型投影技術
 
    綜上，微投成像和3D攝像將是未來AR產業兩大核心技術，以VCSEL為代表的半導體激光器件將成為AR光學技術的最基礎部件，引領消費電子光學時代。而隨著投影顯示技術的發展，人們對投影系統的亮度、解析度、色彩豐富性的要求將會越來越高，光源作為投影系統的重要部件，其發光特性將直接決定投影系統質量。激光光束色度、照度高度均勻，具有亮度高、單色性好、波長固定等傳統光源無可比擬的優勢，未來取代LED成為微型投影模塊、投影儀、投影電視等設備光源將是大概率事件。
 
    目前，激光顯示技術主要有三基色純激光、熒光粉+藍光、LED+激光混合光源三種技術，對比來看，三基色純激光優勢較為明顯。三基色激光被業界視為最正統的激光光源，其具有色域廣、光效高、壽命長、功耗低、一致性好、色溫亮度可調、穩定、安全可靠免維護、應用靈活等優點。
    三基色純激光顯示原理示意圖
 
    技術進展來看，紅光激光二極管技術（包括VCSEL紅光陣列）發展已經十分成熟，藍光激光二極管價格尚高，綠光激光二極管則還有待發展。從已披露專利來看，目前已有“紅光VCSEL陣列+藍光VCSEL陣列+綠色全固體激光器”的解決方案，VCSEL單元用于發出圓化激光光束，經過微透鏡陣列準直化后作為R、B光輸出。此外，采用VCSEL面陣可以減少VCSEL激光器之間的干涉性，弱化激光散斑，從而提高投影顯示質量。
 
    VCSEL在激光雷達領域的應用
 
    日本汽車電子廠家日本電裝近期公布了對Trilumina公司的戰略投資，該公司主要進行針對雷達設備的高功率VCSEL陣列開發，而這些雷達設備主要面向輔助駕駛和無人駕駛應用。在CES2017上，Trilumina 公司展示了自己基于 VCSEL陣列的256像素3D激光雷達解決方案，如若進展順利，公司開發的光源模塊將高清和遠距離傳感器功能整合進小尺寸、穩定且具成本效益的包裝中，可取代目前應用于自動駕駛汽車示范項目的大尺寸、高成本掃描激光雷達。
    激光雷達感應周圍車距、三維重建
 
    VCSEL的迅速發展和固有優點已使其成為光電子應用中的關鍵器件，有強大的生命力。近年來，性能優異的VCSEL不斷被研發，主要涉及其低閾值電流，高輸出功率，高電光轉換效率，低工作電壓，高調制帶寬和高產額。相信隨著VCSEL的不斷發展，它將會獲得越來越多的潛在應用。
 
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